>Thèses

Elmaâti. BENDADA                 Perpignan 1995                                 MC Université  (Maroc)

Caractérisation des dégradations des transistors à structure M.O.S.: nouveaux paramètres physiques caractéristiques

Jury:       

  Marc de la Bardonnie              Perpignan 1996                 Ingénieur SIEMENS (Allemagne)

Caractérisation du vieillissement électrique de transistors micronique s n-MOS par l'étude de la jonction substrat-drain

Jury:     

  Joseph FARAH                   Perpignan 1997,                 MC Université Libanaise Beyrouth

Etude de la vitesse dynamique à l'interface d'une jonction n+-p

Jury      

  Bachar AFFOUR                Perpignan 1997                 Ingénieur MEMSCAT Grenoble (France)

Mesure de la durée de vie des porteurs et de la vitesse de recombinaison à l'interface arrière Métal-Semiconducteur dans des photopiles en silicium

Jury:       

  Badih AZAR                        Perpignan 1998             MC Université Libanaise Beyrouth (Liban)

Caractérisation d'une photopile par la mesure de la vitesse dynamique à la jonction

Jury     

Chafic SALAME                Perpignan 2000                 Ass-Professeur Beyrouth (Liban)

Effets induits par des ions lourds dans les VDMOSFETs

Jury      

  Sami Dib                              Perpignan 2001                 MC Université Libanaise (Liban)

Détermination par linéarisation, des paramètres caractéristiques d'une jonction p-n en microélectronique

Jury      

  Jean-Yves ROSAYE                Perpignan 2001              Ingénieur FASL, Cie Quality Ass Fukushima (Japon)

High/Low Temperature C-V Characteristization of Defects in Ujtra Thin SiO2 Films

Jury      

  Mario . El-Tahchi                 Perpignan 2001                    Assistant-Professeur Beyrouth (Liban)

Facteur d'idéalité d'une jonction: réalité ou illusion ?

Jury

Neza Toufik                      Perpignan 2003                 IAE Perpignan

Dégradation par polarisation en avalanche, des paramètres d'une homojonction en Silicium, durant l'émission de lumière.

Jury     

 

  Roy AL ASMAR                UMII 2005             Assistant Université Libanaise Beyrouth (Liban)

Fabrication et caractérisation de couches minces de ZnO et de Zn(Ga2O3) en vue de leur integration dans des microcapteurs à dispositifs résonants

Jury      

 

  M-Hédi BOUKHATEM             UPVD Décembre 2005               Post-Doc Canada

Température électronique pour l'étude du fonctionnement des jonctions

Jury

 

  Melle Wahiba TAZIBT             UPVD Nov. 2006              MA Béjaïa (Algérie)

Etude de fiabilité et qualité des structures microélectroniques

Jury

 

  M Antoine TABET                 UPVD

Gestion des capteurs et des informations pour un système de détection

à multifonctions

Jury

 

  M-Rolland HABCHI             UPVD Mai 2007                                          MC  Université Libanaise         

Composants de puissance: commutation, fiabilité

Jury

 

  M-Rony EL BITAR            UPVD juin 2008             

VDMOSFETs  en commutation: amélioration, durcissement

Jury

 

  M Hicham TOUFIK           UPVD septembre 2009              

Silicium pour applications optoélectroniques

Jury

 

 

 

 

 

HDR

Frédéric Pélanchon                Université Montpellier II  1991  
Chafic Salamé                       Université de Perpignan 2005  
Mario El-tahchi                      Université de Perpignan 2006  

Last modified: 17/09/09