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Études actuelles

OPTOELECTRONIQUE SILICIUM

• Structure d'une zone de défauts à la jonction E-B d'un composant tout silicium pour amplification de lumière: réalisation technologique.

• Émission lumineuse par une jonction silicium émetteur-base sous polarisation, localisation d'une nanostructure, confinement.

• Étude de la commande de l’émission lumineuse d’une jonction polarisée par modulation de la contrainte électrique.

• Laser tout silicium

COMPOSANTS

• Vieillissement et sélection des composants (diodes, transistors, MOS).

• Suivis de qualité et fiabilité: paramètres

• Dégradations par fonctionnement en conditions extrêmes (électriques, thermiques, radiatives): localisation de défauts aux interfaces, dans les couches d’oxyde isolant et dans la masse des semi-conducteurs.
• Oxyde d'isolation ultra-mince (5.4 nm) pour des composants (fabrication TOYOTA) (défauts, C(V)).

PHOTOVOLTAÏQUE

• Rendement d'une photopile en silicium en fonctionnement sous concentration d'énergie lumineuse.
• Nouvelles structures de très faibles dimensions, puits de potentiel.
• Capteurs photovoltaïques, polymères monocouches, grandes surfaces.
• Cellules 3ème génération.

 Contrats: recherche et formation

• Contrats CNRS Liban

• Contrat Européen CJ/JEP 31157-GFMA (19 partenaires, 3 ans, 474 439,5 € )

• "Capteurs et Microélectronique" formation et recherche.

• Contrat A.I.  CMEP TASSILI 136 F (3 partenaires, 22000€).

• Contrat Européen CD/JEP 34064 (Cardiff, Ilmenau, UMII, Toulouse III, Alep, 2 ans, 283 200,05 € ).

   

   

 Mise à jour: 22/11/12