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Études actuelles

• Vieillissement et sélection des composants commerciaux (diodes, transistors, MOS)
• Suivis de qualité et fiabilité des composants commerciaux.
• Dégradations par fonctionnement en conditions extrêmes (électriques, radiatives): localisation de défauts aux interfaces, dans les couches d’oxyde isolant et dans la masse des semi-conducteurs.
• Oxyde d'isolation ultra-mince (5.4 nm) pour des composants (fabrication TOYOTA) (défauts, C(V)).
• Émission lumineuse par une jonction silicium émetteur-base sous polarisation, localisation d'une nanostructure.
• Étude de la commande de l’émission lumineuse d’une jonction polarisée par modulation de la contrainte électrique (vieillissement et couche de défauts).
• Rendement d'une photopile en silicium en fonctionnement sous faible concentration d'énergie lumineuse.
• Nouvelles structures: GaAs p/i/n, très faibles dimensions, puits de potentiel, défauts d'interface, confinement.

 Contrats en cours:

• Contrat Européen CJ/JEP 31157-GFMA (19 partenaires, 3 ans, 474 439,5 € )

• "Capteurs et Microélectronique" formation et recherche.

• Contrat A.I.  CMEP TASSILI 136 F (3 partenaires, 22000€)

• Contrat Européen CD/JEP 34064_2006 (Cardiff, Ilmenau, UMII, Toulouse III, Alep, 2 ans, 283 200,05 € )

   

 Last modified: 27/08/07