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Études
actuelles
OPTOELECTRONIQUE SILICIUM
Structure d'une zone de défauts à la jonction E-B d'un composant tout silicium pour amplification de lumière: réalisation technologique.
Émission lumineuse par une jonction silicium émetteur-base sous polarisation, localisation d'une nanostructure, confinement.
Étude de la commande de l’émission lumineuse d’une jonction polarisée par modulation de la contrainte électrique.
Laser tout silicium
COMPOSANTS
Vieillissement et sélection des composants (diodes, transistors, MOS).
Suivis de qualité et fiabilité: paramètres
PHOTOVOLTAÏQUE
Contrats:
Contrats CNRS Liban
Contrat
Européen CJ/JEP 31157-GFMA (19 partenaires, 3 ans, 474 439,5 € )
"Capteurs et Microélectronique" formation et
recherche.
Contrat
A.I. CMEP TASSILI 136 F
(3 partenaires, 22000€)
Contrat Européen CD/JEP 34064 (Cardiff, Ilmenau, UMII, Toulouse III, Alep, 2 ans, 283 200,05 € ).
Mise à jour: 22/11/12