>Expérimentations
Mesures en fonctionnement des paramètres des jonctions, leurs évolutions sont suivies tout le long d'expériences de vieillissements en imposant des conditions extrêmes.
Composants
- Enregistrements
des caractéristiques courant tension
des jonctions n-p (Si, Ge, …) dans un intervalle de température
étendu de 77K à 450K. pour analyse et modélisation, températures électroniques.
-
Détermination des températures électronique et de réseau à partir de l'enregistrement
des caractéristiques I(V).
- Mesure des réponses de composants à structure MOS aux commandes en commutation, après forte contrainte et aussi sur une large plage de température.
- Détermination de paramètres indicateurs de fiabilité.
Optoélectronique tout silicium
- Suivi des émissions lumineuses par le silicium sous contrainte électrique: amplification par création de nano-couches de défauts dans des transistors bipolaires commerciaux.
- Modulation de l'intensité lumineuse par polarisation électrique.
Capteurs photovoltaïques
- Étude expérimentale en utilisant des lentilles pour concentrer l'énergie lumineuse sur des photopiles.
- Production de "films photovoltaïques", polymérisation de l'aniline en présence de nanoparticules, composites, nouvelle architecture.
- Banc de mesures et caractérisation C(V), pièges, fiabilité.
Mise à jour: 22/11/12