>Expérimentations

 

Mesures en fonctionnement des paramètres des jonctions, leurs évolutions sont suivies tout le long d'expériences de vieillissements en imposant des conditions extrêmes.

Composants

 - Enregistrements des caractéristiques courant tension  des jonctions n-p (Si, Ge, …) dans un intervalle de température étendu de 77K à 450K. pour analyse et modélisation, températures électroniques.

 - Détermination des températures électronique et de réseau à partir de l'enregistrement des caractéristiques I(V).

 - Mesure des réponses de composants à structure MOS aux commandes en commutation, après forte contrainte et aussi sur une large plage de température.

 - Détermination de paramètres indicateurs de fiabilité. 

 

 

Optoélectronique tout silicium

 - Suivi des émissions lumineuses par le silicium sous contrainte électrique: amplification par création de nano-couches de défauts dans des transistors bipolaires commerciaux.

 - Modulation de l'intensité lumineuse par polarisation électrique.

 

 

Capteurs photovoltaïques

- Étude expérimentale en utilisant des lentilles pour concentrer l'énergie lumineuse sur des photopiles.

- Production  de "films photovoltaïques", polymérisation de l'aniline en présence de nanoparticules, composites, nouvelle architecture.

- Banc de mesures et caractérisation C(V), pièges, fiabilité.

 

 

Mise à jour: 22/11/12